Görsel mevcut değil
MJD340T4G
MJD340T4G Hakkında
MJD340T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. 300V Collector-Emitter breakdown voltajı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500mA maksimum collector akımı ve 1.56W güç yayılımı kapasitesiyle orta güç seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 10MHz transition frequency ile göreli yavaş anahtarlama uygulamalarına uygundur. TO-252 (DPAK) SMD paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V