Görsel mevcut değil
MJD340RLG
MJD340RLG Hakkında
MJD340RLG, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maximum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 1.56W maximum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 30 minimum DC current gain (hFE) ile orta frekanslı uygulamalarda kullanıma uygundur. -65°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilen bu transistör, yüksek voltaj toleransı sayesinde güç kaynağı kontrolü ve motor sürücü devrelerinde de yer almaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V