Görsel mevcut değil
MJD32T4G
MJD32T4G Hakkında
MJD32T4G, onsemi tarafından üretilen Surface Mount PNP tipi Bipolar Junction Transistör (BJT) olup TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 40V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 3A kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile söz konusu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer almaktadır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 3MHz transition frequency değeri ile genel amaçlı ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Yüksek yük akımı gerektiren motor kontrol, güç yönetimi ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V