Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
MJD32CTM
MJD32CTM Hakkında
MJD32CTM, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maximum 100V Vce darbelenme gerilimi ve 3A kolektör akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, audio amplifikatörleri, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı güç yönetimi uygulamalarında yer alabilir. 3MHz geçiş frekansı ile DC ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Obsolete durumundaki bu bileşen, eski tasarımlarda ve bakım çalışmalarında bulunabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
İlgili Ürünler
