Görsel mevcut değil
MJD32CTM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 3A DPAK
MJD32CTM Hakkında
MJD32CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.56W maksimum güç harcaması ve 3MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmesi gömülü sistemlerde ve termal stres altındaki ortamlarda tercih edilebilir. Vce saturasyon gerilimi 1.2V (375mA taban akımında, 3A collector akımında) olup, söndürme işleminde düşük güç kaybı sağlar. Düşük hFE değeri (10 @ 3A, 4V) yüksek akım uygulamalarında tasarımda dikkate alınmalıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V