Görsel mevcut değil
MJD32CTF_NBDD002
MJD32CTF_NBDD002 Hakkında
MJD32CTF_NBDD002, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar transistördür (BJT). TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100V Vce ve 3A collector akımı kapasitesine sahiptir. 1.56W güç dağıtım yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 3MHz transition frequency'si ile düşük frekans sinyal işleme uygulamalarına uygundur. Vce saturation voltajı 1.2V olup, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde, güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri ve ses amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilebilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V