Görsel mevcut değil
MJD32CT4G
MJD32CT4G Hakkında
MJD32CT4G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100V collector-emitter kırılma gerilimine sahip bu transistör, 3A'a kadar collector akımında çalışabilmektedir. 1.56W maksimum güç yayma kapasitesine ve 3MHz transition frequency'e sahiptir. Vce doyum gerilimi 1.2V'tur. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel güç elektronikleri devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V