Görsel mevcut değil
MJD32CRL
MJD32CRL Hakkında
MJD32CRL, onsemi tarafından üretilen Surface Mount PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 100V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 3A, 4V koşullarında minimum 10'dur. Vce saturation voltajı 375mA base akımında 1.2V olarak belirlenmiştir. 3MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) sayesinde otoomotiv, endüstriyel kontrol ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V