Görsel mevcut değil
MJD31T4G
MJD31T4G Hakkında
MJD31T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 40V collector-emitter voltajı ve 3A collector akımı ile çalışabilir. 1.56W güç dağıtım kapasitesine sahip olup, geniş işletme sıcaklık aralığında (-65°C ile 150°C arasında) kullanılabilir. Vce doyma voltajı 1.2V (375mA taban akımı, 3A collector akımında) ve 3MHz transition frequency ile orta-hız anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Düşük DC current gain değeri (10 @ 3A, 4V) nedeniyle yüksek akım anahtarlaması gereken endüstriyel kontrol, motor sürücü devreler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V