MJD31CTF_NBDD001

Üretici: onsemi
Kategori: Bipolar Transistör (BJT) › Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: TRANS NPN 100V 3A DPAK

MJD31CTF_NBDD001 Hakkında

MJD31CTF_NBDD001, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V break-down voltajı ile power management, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 1.56W güç kapasitesi, 10 minimum DC current gain ve 3MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygun performans sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışma karakteristiği vardır.

Ürün Özellikleri

13 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 3 A

Current - Collector Cutoff (Max) 50µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V

Frequency - Transition 3MHz

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Obsolete

Power - Max 1.56 W

Supplier Device Package D-Pak

Transistor Type NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V