Görsel mevcut değil
MJD31CTF-FS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJD31CTF-FS Hakkında
MJD31CTF-FS, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç transistörüdür. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3A maksimum collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrol, anahtarlama devreleri, amplifikasyon ve DC/DC dönüştürücü tasarımlarında yer bulur. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 3MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 25 @ 1A, 4V DC current gain ve 1.2V saturation voltajı ile verimli anahtar işlemi sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V