Görsel mevcut değil
MJD31CT4G
MJD31CT4G Hakkında
MJD31CT4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. -65°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 3MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Saturation voltajı 1.2V @ 3A ile verimli anahtarlama davranışı gösterir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V