Görsel mevcut değil
MJD31CT4
MJD31CT4 Hakkında
MJD31CT4, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistöründür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V kat-emiter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 15W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve switching uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 3MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 1.2V doyma voltajı ile düşük enerji kaybında çalışması sağlanır. Surface Mount teknolojisi ile standart PCB üretim süreçlerine uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V