Görsel mevcut değil
MJD31CJ
MJD31CJ Hakkında
MJD31CJ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V kollektör-emiter yıkılma voltajı ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.6W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile motor kontrolü, aydınlatma sistemleri, anahtarlama devre uygulamaları ve güç yönetimi topologylerinde tercih edilir. 25 @ 1A, 4V DC akım kazancı ve 1.2V doyum voltajı ile verimli anahtarlama karakteristiği sağlar. İş sıcaklığı aralığı 150°C'ye kadar çıkabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.6 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V