Görsel mevcut değil
MJD31CITU
MJD31CITU Hakkında
MJD31CITU, onsemi tarafından üretilen TO-251 (IPak) paketli NPN bipolar transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.56W maksimum güç yayma kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve genel amaçlı endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 3MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251 paket tipi, kompakt PCB tasarımlarında Through Hole montaj seçeneği sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Cihazın obsolete statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V