Görsel mevcut değil
MJD31CITU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJD31CITU Hakkında
MJD31CITU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir güç bipolar transistörüdür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Maksimum 3A kolektör akımı, 100V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ve 1.56W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı olup, 3MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 10 @ 3A, 4V minimum DC akım kazancı (hFE) ile kararlı bir amplifikasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V