Görsel mevcut değil
MJD31CG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 3A DPAK
MJD31CG Hakkında
MJD31CG, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir ve maksimum 3A collector akımına kadar destekler. 1.56W güç dağıtımı kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel kontrol elektroniklerinde kullanılır. -65°C ile 150°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilen MJD31CG, 3MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. TO-252-3 paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V