Görsel mevcut değil
MJD31CEITU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJD31CEITU Hakkında
MJD31CEITU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.56W maksimum güç yayılım kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, anahtar devreler, darbe amplifikatörleri ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 3MHz geçiş frekansı orta hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Kütük ve kompakt tasarımı sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V