Görsel mevcut değil
MJD31C1G
MJD31C1G Hakkında
MJD31C1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100V kolektör-emiter gerilimi ve 3A kolektör akımına dayanabilir. 1.56W güç tüketim kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. Doyum gerilimi 1.2V olup, 10 minimum DC akım kazancı (hFE) özelliği taşır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, anahtarlama devreleri, amplifikatör tasarımı ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V