Görsel mevcut değil
MJD31C1
MJD31C1 Hakkında
MJD31C1, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. 1.56W güç sınırlaması içinde orta güç uygulamalarında kullanılır. 10 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direk lehimleme yapılır. Bileşen statüsü discontinued olup, yeni tasarımlarda alternatif çözümler önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V