Görsel mevcut değil
MJD3055TF
MJD3055TF Hakkında
MJD3055TF, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 10A'a kadar collector akımı ve 60V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.75W maksimum güç yayılımı kapasitesi, 2MHz transition frequency ve 20 (minimum) DC current gain özellikleriyle tasarlanmıştır. Switching devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar işletim sıcaklığında çalışabilmesi, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir seçim sunar. Bileşen şu anda Obsolete (üretilmiyor) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V