Görsel mevcut değil
MJD3055T4G
MJD3055T4G Hakkında
MJD3055T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 60V breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 1.75W güç yeteneğine sahip olan transistör, DC akım kazancı 20 (4A, 4V'de) ve 2MHz geçiş frekansı ile çalışır. Geniş -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve RF amplifikasyon gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V