Görsel mevcut değil
MJD3055T4
MJD3055T4 Hakkında
MJD3055T4, onsemi tarafından üretilen NPN tipi güç transistörüdür. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 10A kolektör akımı ve 60V gerilim dayanımına sahiptir. 20W güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan transistör, otomotiv, endüstriyel kontrol sistemleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 2MHz transition frequency ile orta hızda komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. Minimum hFE değeri 20'dir (4A kolektör akımında, 4V Vce'de).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V