Görsel mevcut değil
MJD3055RLG
MJD3055RLG Hakkında
MJD3055RLG, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60V kolektör-emiter gerilimi ve 10A kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 1.75W güç disipasyonu ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı 20 @ 4A/4V koşullarında ölçülmüştür. 2MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, motor kontrol devrelerinde, güç anahtarlarında, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V