MJD3055G

Üretici: onsemi
Kategori: Bipolar Transistör (BJT) › Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: TRANS NPN 60V 10A DPAK

MJD3055G Hakkında

MJD3055G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı paketinde sunulur. 60V kolektör-emitör gerilimi ve 10A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.75W güç dağıtım kapasitesi ile motor kontrol, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Ürün Özellikleri

13 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 10 A

Current - Collector Cutoff (Max) 50µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V

Frequency - Transition 2MHz

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Obsolete

Power - Max 1.75 W

Supplier Device Package DPAK

Transistor Type NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V