Görsel mevcut değil
MJD3055
MJD3055 Hakkında
MJD3055, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 10A collector akımı ve 60V collector-emitter gerilimi ile güç amplifikasyonu, motor kontrol, aydınlatma uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda çalışmaya uygundur. 2MHz geçiş frekansı, 1.75W maksimum güç yayınlama kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulamalar için uyumludur. Surface mount teknolojisi sayesinde modern PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir. Parça şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V