Görsel mevcut değil
MJD29CTF
MJD29CTF Hakkında
MJD29CTF, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile çalışır. 1.56W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Vce doyum voltajı 700mV'dir. DC akım kazancı 1A, 4V koşullarında minimum 15 değerindedir. 3MHz transition frekansı ile orta hız uygulamalarına uygun olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve güç kontrolü devrelerinde kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V