Görsel mevcut değil
MJD2955TF
MJD2955TF Hakkında
MJD2955TF, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount pakajında sunulan bu bileşen, maksimum 10A kolektör akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 1.75W güç yeteneğine sahip olan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle güç uygulamalarında kullanılır. Minimum 20 hFE DC akım kazancı ve 8V saturation voltajı ile, motor kontrolü, solenoid sürücüleri ve güç amplifikatörü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V