Görsel mevcut değil
MJD2955T4G
MJD2955T4G Hakkında
MJD2955T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar junction transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 60V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 10A maksimum kollektör akımı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 4A, 4V koşullarında minimum 20 değerini gösterir. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2MHz geçiş frekansı, düşük hızlı anahtarlama ve doğrusal amplifikasyon uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında kullanımı destekler. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V