Görsel mevcut değil
MJD2955RLG
MJD2955RLG Hakkında
MJD2955RLG, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar güç transistörüdür. 60V maksimum collector-emitter gerilimine ve 10A maksimum collector akımına sahiptir. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, 1.75W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 2MHz transition frekansı ve minimum 20 DC akım kazancı özellikleriyle, düşük ve orta frekans uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılabilir. Uydu systematik, güç yönetimi devrelerinde ve genel endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V