Görsel mevcut değil
MJD253T4G
MJD253T4G Hakkında
MJD253T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 4A kolektör akımı ve 100V kolektör-emitter gerilimi kırılma değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 600mV doyum gerilimi sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılan güvenilir bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V