Görsel mevcut değil
MJD253T4
MJD253T4 Hakkında
MJD253T4, onsemi tarafından üretilen PNP tipi güç transistörüdür. 4A maksimum kolektör akımı ve 100V kolektör-emiter gerilim ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 40 MHz transition frequency ile orta frekanslı devrelere uygun olup, 12.5W maksimum güç dağıtabilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Darbe güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Minimum 40 hFE akım kazancı özelliği ile güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
12.5 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V