Görsel mevcut değil
MJD253-1G
MJD253-1G Hakkında
MJD253-1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu transistör, 100V kollektör-emitter gerilimi ve 4A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 40MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 1.4W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrol, güç yönetimi, aydınlatma uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V