Görsel mevcut değil
MJD253-001
MJD253-001 Hakkında
MJD253-001, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 4A kollektor akımı ve 100V kollektor-emiter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç dağıtma kapasitesi, 40MHz transition frekansı ve 40 minimum DC akım kazancı ile sahip olan MJD253, 600mV saturation gerilimi ile etkili anahtarlama performansı sağlar. -65°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. Bileşen obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V