Görsel mevcut değil
MJD243T4G
MJD243T4G Hakkında
MJD243T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 40MHz transition frequency ve 1.4W maksimum güç derecelendirmesi ile motor sürücüleri, anahtarlama devreler ve ses amplifikatörü gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 600mV maksimum Vce(sat) değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmakta, 40 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V