Görsel mevcut değil
MJD243G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 4A DPAK
MJD243G Hakkında
MJD243G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100V kolektör-emitter gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile orta güçlü elektronik devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 40MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 1.4W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V