Görsel mevcut değil
MJD210T4G
MJD210T4G Hakkında
MJD210T4G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 25V maksimum Vce derecelendirmesi ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç tüketimi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 65MHz transition frequency ile DC ve düşük frekans uygulamalarına uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 1.8V maksimum Vce(sat) değeri ile verimli anahtar işlevi gerçekleştirmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V