Görsel mevcut değil
MJD210RL
MJD210RL Hakkında
MJD210RL, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 5A kolektör akımı, 25V maksimum VCE değeri ve 1.4W güç dağıtma kapasitesi ile güç amplifikasyonu, anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 65MHz transition frequency ile orta frekanslı devrelerde çalışabilir. DPAK (TO-252-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışan endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Minimum 45 hFE DC current gain değeri ile voltaj amplifikasyonu sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V