Görsel mevcut değil
MJD200T5G
MJD200T5G Hakkında
MJD200T5G, onsemi tarafından üretilen NPN türü bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulan bu transistör, 25V kolektör-emiter gerilimi ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan MJD200T5G, 65MHz transition frequency ve minimum 45 DC current gain (2A, 1V'de) özellikleriyle karakterizedir. 1.8V saturation voltajı (1A base akımı, 5A kolektör akımında) ile tasarlanmıştır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve DC kontrol devrelerinde tercih edilir. Yüzey montaj teknolojisi ile PCB entegrasyonu sağlar. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V