MJD200T4G

Üretici: onsemi
Kategori: Bipolar Transistör (BJT) › Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: TRANS NPN 25V 5A DPAK

MJD200T4G Hakkında

MJD200T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup Surface Mount teknolojisi ile DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 25V Vce(max) ve 5A Ic(max) ile orta güç uygulamalarında kullanılan bu transistör, 1.4W maksimum güç tüketim yeteneğine ve 65MHz transition frequency'ye sahiptir. DC akım kazancı 2A/1V koşullarında minimum 45 değerini gösterir. -65°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1.8V Vce(sat) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Ürün Özellikleri

13 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 5 A

Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V

Frequency - Transition 65MHz

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Active

Power - Max 1.4 W

Supplier Device Package DPAK

Transistor Type NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V