Görsel mevcut değil
MJD200T4
MJD200T4 Hakkında
MJD200T4, onsemi tarafından üretilen NPN tipi güç transistörüdür. Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A kollektör akımı ve 25V gerilim desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 12.5W maksimum güç seviyesinde çalışabilen transistör, 65MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun özelliktedir. DC akım kazancı (hFE) 45 minimum seviyesi ile garantili amplifikasyon sağlar. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor sürücüleri, güç anahtarları, audio amplifikatörleri ve benzer uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. Düşük saturasyon gerilimi (300mV) sayesinde verimliliği yüksek devreler oluşturmaya olanak tanır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
12.5 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V