Görsel mevcut değil
MJD200RLG
MJD200RLG Hakkında
MJD200RLG, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5A collector akımı ve 25V çalışma voltajına sahiptir. 1.4W güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) 2A ve 1V'de minimum 45 değeridir. 65MHz transition frequency ile anahtarlama ve RF uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V