Görsel mevcut değil
MJD200G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN 25V 5A DPAK
MJD200G Hakkında
MJD200G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 25V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile DC ve anahtarlama devrelerinde, darbe amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 65MHz transition frequency ve 45 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren modern PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V