Görsel mevcut değil
MJD200
MJD200 Hakkında
MJD200, onsemi tarafından üretilen NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketine sahip bu transistör, 25V maksimum collector-emitter voltajında 5A akım kapasitesine sahiptir. 1.4W maksimum güç tüketimiyle, anahtarlama ve güç amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 65MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-65°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar. DC current gain (hFE) minimum 45 değeriyle, kontrollü amplifikasyon gerektiren devreler için uygun bir seçimdir. Lojik seviye sürücüleri, darbe kuvvetlendirme, küçük motor kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.4 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V