Görsel mevcut değil
MJD18002D2T4G
MJD18002D2T4G Hakkında
MJD18002D2T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar transistördür. 450V kolektör-emitter arakesit voltajı ve 2A maksimum kolektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 50W maksimum güç yayılım kapasitesi ile switching ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket kullanılarak kompakt tasarımlar sağlar. -65°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında otoomotiv, endüstriyel kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13MHz transition frequency ile orta hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. Vce saturation voltajı 750mV ile enerji verimliliği destekler.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
6 @ 1A, 1V
Frequency - Transition
13MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
50 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V