Görsel mevcut değil
MJD148T4G
MJD148T4G Hakkında
MJD148T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 4A kolektör akımı ve 45V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Maksimum 1.75W güç dissipasyonu kapasitesi ile motor kontrol, güç yönetimi ve şarj devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve otomotiv elektronik sistemlerinde güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V