Görsel mevcut değil
MJD128T4G
MJD128T4G Hakkında
MJD128T4G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistördür. Maksimum 120V collector-emitter voltajı ve 8A collector akımı ile çalışır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketinde sunulur. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 4MHz transition frequency ile orta hız uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.75W power dağıtabilir. Güç anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, röle sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük collector-emitter doyma voltajı (4V @ 80mA, 8A) ile verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V