Görsel mevcut değil
MJD122T4G
MJD122T4G Hakkında
MJD122T4G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım işleme kapasitesi ve yüksek akım kazancı ile karakterizedir. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 8A collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük base akımında yüksek collector akımı sağlar. Motor kontrol, solenoid sürücüleri, röle kontrolü ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V