Görsel mevcut değil
MJD122-1G
MJD122-1G Hakkında
MJD122-1G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V collector-emitter gerilim ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket içinde sunulur. 1000'in üzerinde DC akım kazancı ve 4MHz transition frekansıyla kontrol devreleri, motor sürücüleri ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V