Görsel mevcut değil
MJD122-1
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
MJD122-1 Hakkında
MJD122-1, STMicroelectronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emiter gerilimi ve 8A maksimum kolektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük baz akımında yüksek kolektör akımı sağlar. 20W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 4V maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V